DGD2117集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DGD2117 |
参数属性 | DGD2117 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO |
功能描述 | SINGLE CHANNEL GATE DRIVER |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
文件大小 |
602.39 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-4 17:30:00 |
人工找货 | DGD2117价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
DGD2117规格书详情
Features
- Floating Channel in Bootstrap Operation to 600V
- Drives One N-Channel MOSFET or IGBT
- Outputs Tolerant to Negative Transients
- Wide Logic Supply: 10V to 20V
- Schmitt Triggered Logic Input with Internal Pull Down
- Undervoltage Lockout
- Extended Temperature Range: -40°C to +125°C
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- For automotive applications requiring specific change control
Applications
- DC-DC Converters
- DC-AC Inverters
- AC-DC Power Supplies
- Motor Controls
- Class D Power Amplifiers
产品属性
- 产品编号:
DGD2117S8-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
高端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
6V,9.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
290mA,600mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
75ns,35ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SO
- 描述:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
SO-8 |
30 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
DiodesIncorporated |
19+ |
58000 |
原装正品价格优势 |
询价 | |||
Diodes Incorporated |
23+ |
TO-18 |
12800 |
原装正品代理商最优惠价格,现货或订货 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
SO-8 |
30000 |
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DIODES/美台 |
1936+ |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOP-8 |
40507 |
原装正品现货 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SO-8 |
12245 |
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DIODES/美台 |
24+ |
SO-8 |
30 |
原装现货,专业配单专家 |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOP-8 |
47500 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
2023+ |
SOP-8 |
25000 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 |