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DGD2106S8-13 集成电路(IC)栅极驱动器 DIODES/美台半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
DGD2106S8-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.6V,2.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
290mA,600mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
100ns,35ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SO
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
供应商
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