DG7N65资料使用说明书批发采购仙童半导体-114ic电子网

首页 >DG7N65>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
7N65	文件：150.93 Kbytes Page：8 Pages	7Amps,650Volts7Amps,650Volts DESCRIPTION TheUTC7N65isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65	文件：180.91 Kbytes Page：6 Pages	7.4Amps,650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
7N65	文件：1.15512 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
7N65	文件：2.22764 Mbytes Page：9 Pages	650VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON)	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
7N65	文件：137.09 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=7A@TC=25C •FEATURES •DrainCurrentID=7A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •APPLICATIONS •Highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies •PWM	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
7N65	文件：618.55 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION 7N607N65isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinswitch	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
7N65	文件：173.56 Kbytes Page：6 Pages	7.4A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
7N65	文件：1.3107 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description 650VN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features RDS(ON)=1.27Ω(Max.)@VGS=10V,ID=3.5A Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability Application DC-DC&DC-ACConverters UninterruptiblePowerSupply(UPS) SwitchModeLowPowerSu	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
7N65	文件：692.23 Kbytes Page：11 Pages	N-channelpowerMOStube Features VDS(V)=650V RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
7N65A	文件：1.08437 Mbytes Page：7 Pages	7A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor 7A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor Performancecharacteristics: ♦Fastswitchingspeed ♦Lowon-resistance ♦Lowreversetransfercapacitance ♦Lowgatecharge ♦100singlepulseavalancheenergytest ♦Improveddv/dtcapability	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
7N65A	文件：283.57 Kbytes Page：7 Pages	7A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65AisahighvoltageN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsdesignedtohaveminimizeon-stateresistance,superiorswitchingperformanceandwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.ThispowerMOSFETiswellsuitedforhigheffi	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65B	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
7N65C	文件：886.6 Kbytes Page：10 Pages	650VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
7N65D	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
7N65F	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
7N65F	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
7N65F	文件：692.23 Kbytes Page：11 Pages	N-channelpowerMOStube Features VDS(V)=650V RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
7N65-F	文件：347.84 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC7N65-FisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

12 3 4 5 6 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳好佳好科技有限公司	DG7N65	DG	1408+	TO-220F	9500	绝对原装进口现货可开增值税发票	询价
深圳诚思涵科技有限公司	DG7N65	DG	18+	TO-220F	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	DG7N80	DG	22+23+	TO-220F	38374	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市和悦电子贸易有限公司	DG801-02P				686		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	DG803	DG		SSOP-8	2000		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	DG8032A	SILICONI	23+	DIP	12735		询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	DG8064001194903	INTEL	23+	QFN	6586	原装现货100%现货	询价
深圳市鹏锦翔科技有限公司三部	DG8064001194903	INTEL/英特尔	21+		8380	原装现货特价热卖长期供应	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DG8064001194903	INTEL/英特尔	21+ROHS		10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市凯昱电子有限公司	DG8064001194903	INTEL/英特尔	23+		98900	只做原装支持实单	询价

更多DG7N65供应商更新时间2024-5-1 10:08:00

相关规格书

相关库存