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DN838	文件：220.37 Kbytes Page：5 Pages	HALLIC(SWITCHTYPE)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
FDR838P	文件：204.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription TheseP-Channel2.5VspecifiedMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •-8A,-20V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSE838	文件：1.89946 Mbytes Page：16 Pages	ExtraLowCapacitanceLatch-upTVSDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FSE838AT	文件：1.89946 Mbytes Page：16 Pages	ExtraLowCapacitanceLatch-upTVSDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FSE838CT	文件：1.89946 Mbytes Page：16 Pages	ExtraLowCapacitanceLatch-upTVSDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FT838D	文件：375.13 Kbytes Page：10 Pages	FT838D	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FT838MBD	文件：413.73 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencyOff-LineCC/CVSwitch	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FT838NB	文件：418.51 Kbytes Page：10 Pages	Low-PowerOff-LineCC/CVSwitch	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
KRC838E	文件：69.41 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC838U	文件：69.89 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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更多DF838A供应商更新时间2025-5-23 16:35:00

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