首页>DF10G6M4N>规格书详情

DF10G6M4N中文资料ESD protection diode (flow through type)数据手册Toshiba规格书

PDF无图
厂商型号

DF10G6M4N

参数属性

DF10G6M4N 封装/外壳为10-UFDFN;包装为散装;类别为电路保护的TVS-二极管;DF10G6M4N应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN

功能描述

ESD protection diode (flow through type)

封装外壳

10-UFDFN

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-28 15:38:00

人工找货

DF10G6M4N价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

DF10G6M4N规格书详情

描述 Description

Internal Connection:Flow through
Number of Circuits:4
Number of Protected Lines:4
configuration:Bidirectional
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-20 kV
Peak pulse current (IEC61000-4-5) IPP 2 A

技术参数

  • 制造商编号

    :DF10G6M4N

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Life-cycle

    :新产品

  • Package name

    :DFN10

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.5 x 1.0 x 0.5

  • Configuration

    :Bidirectional

  • ProtectedLines

    :4

  • Application

    :USB3.1/Thunderbolt/HDMI2.0/RF ant.

  • Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)

    :+/-5.5

  • ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)

    :5.6

  • CT (Typ.) (pF)

    :0.2

  • CT (Max) (pF)

    :0.3

  • Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)

    :+/-20

  • Dynamicresistance(Typ.) (Ω)

    :0.5

  • ReversecurrentIR (Max) (μA)

    :0.1

  • Peak pulsecurrent (Max) (A)

    :2

  • Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)

    :8.5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
TOSHIBA/东芝
23+
DFN-10
50000
原装正品 支持实单
询价
TOSHIBA/东芝
2517+
DFN10
8850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
询价
TOSHIBA
24+
DFN10
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
TOSHIBA/东芝
25+
DFN10
12000
原装正品,假一罚十!
询价
TOSHIBA/东芝
24+
DFN-10
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
TOSHIBA/东芝
24+
DFN10
503496
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
TOSHIBA(东芝)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
TOSHIBA/东芝
新年份
DFN10
5800
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
询价
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
5830
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价