DF10G6M4N数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF
DF10G6M4N规格书详情
描述 Description
Internal Connection：Flow through
Number of Circuits：4
Number of Protected Lines：4
configuration：Bidirectional
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-20 kV
Peak pulse current (IEC61000-4-5) IPP 2 A
技术参数
- 制造商编号
：DF10G6M4N
- 生产厂家
：Toshiba
- Life-cycle
：新产品
- Package name
：DFN10
- Width×Length×Height(mm)
：2.5 x 1.0 x 0.5
- Configuration
：Bidirectional
- ProtectedLines
：4
- Application
：USB3.1/Thunderbolt/HDMI2.0/RF ant.
- Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)
：+/-5.5
- ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)
：5.6
- CT (Typ.) (pF)
：0.2
- CT (Max) (pF)
：0.3
- Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)
：+/-20
- Dynamicresistance(Typ.) (Ω)
：0.5
- ReversecurrentIR (Max) (μA)
：0.1
- Peak pulsecurrent (Max) (A)
：2
- Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)
：8.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
23+ |
DFN10 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
DFN10 |
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