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DF100R07W1H5FPB53BPSA2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

参数属性

DF100R07W1H5FPB53BPSA2 封装/外壳为模块;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 650V 40A 20MW

功能描述

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2
IGBT MOD 650V 40A 20MW

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 9:48:00

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DF100R07W1H5FPB53BPSA2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

DF100R07W1H5FPB53BPSA2规格书详情

简介

DF100R07W1H5FPB53BPSA2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的DF100R07W1H5FPB53BPSA2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DF100R07W1H5FPB53BPSA2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 配置

    :2 个独立式

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :650V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :40A

  • 功率 - 最大值

    :20mW

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :1.55V @ 15V,25A

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :40µA

  • 不同 Vce 时的输入电容(Cies)

    :2.8nF @ 25V

  • 输入

    :标准

  • NTC 热敏电阻

    :是

  • 工作温度

    :-40°C ~ 150°C

  • 安装类型

    :底座安装

  • 封装/外壳

    :模块

  • 供应商器件封装

    :模块

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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