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DESD5V0U1BLQ	文件：284.78 Kbytes Page：5 Pages	LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE Features •ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard:Contact±10kV •1ChannelofESDProtection •HighPeakPulseCurrentperIEC61000-4-5Standard •LowChannelInputCapacitance •TypicallyusedinCellularHandsets,PortableElectronics,CommunicationSystems,ComputersandPer	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DESD5V0U1BLQ-7B	文件：284.78 Kbytes Page：5 Pages	Marking：RK；Package：X1-DFN1006-2；LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE Features •ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard:Contact±10kV •1ChannelofESDProtection •HighPeakPulseCurrentperIEC61000-4-5Standard •LowChannelInputCapacitance •TypicallyusedinCellularHandsets,PortableElectronics,CommunicationSystems,ComputersandPer	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DESD5V0U1BLQ-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0402（1006 公制）；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：DATALINE PROTECTION PP X1-DFN100	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
DRTR5V0U1LP	文件：262.78 Kbytes Page：5 Pages	LOWCAPACITANCESINGLEESDPROTECTIONTVSDIODE Features •IEC61000-4-2(ESD):Air±15kV,Contact±8kV •1ChannelofESDProtection •LowChannelInputCapacitanceof1.0pFTypical •LowProfilePackage(0.53mmmax)andUltra-smallPCB FootprintArea(1.08*0.68mmmax)SuitableforCompact PortableElectronics •TypicallyUseda	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DRTR5V0U1SO	文件：106.62 Kbytes Page：4 Pages	1CHANNELLOWCAPACITANCETVSDIODEARRAY	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PESD5V0U1BA	文件：301.18 Kbytes Page：5 Pages	UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Description UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Discharge(ESD)protectiondiodesinsmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesigned toprotectonedatalinefromthedamagecausedby ESD. Features BidirectionalESDprotectionofoneline Ultralowleakagecurre	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0U1BA	文件：87.33 Kbytes Page：12 Pages	UltralowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD5V0U1BA	文件：209.52 Kbytes Page：11 Pages	LowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription LowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmall SOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits •Bi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0U1BA-Q	文件：212.38 Kbytes Page：11 Pages	LowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription LowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmall SOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0U1BB	文件：301.18 Kbytes Page：5 Pages	UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Description UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Discharge(ESD)protectiondiodesinsmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesigned toprotectonedatalinefromthedamagecausedby ESD. Features BidirectionalESDprotectionofoneline Ultralowleakagecurre	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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