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PESD3V3L1BSL	文件：224.02 Kbytes Page：11 Pages	ESDprotectiondevice 1.Generaldescription BidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaDFN1006-2(SOD882-S1) leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits •B	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3L1UA	文件：553.47 Kbytes Page：13 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes 1.1Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinsmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignallinefrom thedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Applications Table1.Product	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3L1UA	文件：615.53 Kbytes Page：4 Pages	300Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) Features 300Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) Unidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)20A(8/20μs) Applications US	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD3V3L1UA	文件：120.54 Kbytes Page：13 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD3V3L1UB	文件：235.97 Kbytes Page：10 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinanultrasmalland flatleadSOD523(SC-79)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotect onesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Feature	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3L1UB	文件：120.54 Kbytes Page：13 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD3V3L1UB	文件：389.97 Kbytes Page：4 Pages	UnidirectionalESDprotectionofoneline Features Applications ESDprotectionupto30kV Lowdiodecapacitance:Cd=34pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Lowclampingvoltage:VCL=11V AEC-Q101qualified Verylowleakagecurrent:IRM=100nA Computersandperipherals SubscriberIdentityModule(SIM)card protection Audioa	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD3V3L1UB	文件：553.47 Kbytes Page：13 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes 1.1Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinsmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignallinefrom thedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Applications Table1.Product	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3L1UL	文件：553.47 Kbytes Page：13 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes 1.1Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinsmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignallinefrom thedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Applications Table1.Product	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3L1UL	文件：2.9356 Mbytes Page：4 Pages	BIDIRECTIONALTVSDIODE Features Protectsonedataline Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:3.3V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-5(Lightning)8A(8/20μs) RoHSCompliant App	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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