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PESD3V3L1BSL电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PESD3V3L1BSL |
参数属性 | PESD3V3L1BSL 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为电路保护的TVS-二极管;PESD3V3L1BSL应用范围:电信;产品描述:TVS DIODE 3.3VWM 11.3VC 2DFN |
功能描述 | ESD protection device |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOD882-S1 / SOD-882 |
文件大小 |
224.02 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
人工找货 | PESD3V3L1BSL价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PESD3V3L1BSL规格书详情
1. General description
Bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in a DFN1006-2 (SOD882-S1)
leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect one signal
line from the damage caused by ESD and other transients.
2. Features and benefits
• Bidirectional protection of one line
• Reverse stand-off voltage: VRWM = 3.3 V
• Surge robustness: IPPM = 7.5 A for 8/20 μs pulse
• Ultra low clamping voltage: VCL = 11.3 V max. at IPPM = 7.5 A
3. Applications
• Portable electronics
• Computers and peripherals
• Audio and video equipment
• Communication systems
产品属性
- 产品编号:
PESD3V3L1BSLZ
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
3.3V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
5.2V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
11.3V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
7.5A(8/20µs)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
电信
- 不同频率时电容:
15.5pF @ 1MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOD-882
- 供应商器件封装:
DFN1006-2
- 描述:
TVS DIODE 3.3VWM 11.3VC 2DFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
DFN10062(SOD882) |
7350 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
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NEXPERIA/安世 |
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SOD-323 |
50000 |
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恩XP |
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恩XP |
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