XHP™3 module with Emitter Controlled 4 diode

Features • Electrical features - VR = 4500 V - IF = 450 A, IFRM = 900 A - High dynamic robustness • Mechanical features - Package with CTI > 600 - AlSiC base plate for increased thermal cycling capability - High creepage and clearance distances - Housing material compliant with the classi

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Infineon

英飞凌

4500 V、450 A 二极管 IGBT 模块

XHP ™ 3 4500 V、450 A 二极管 IGBT 模块，带有发射极控制 E4 二极管和 10.4 kV 增强隔离。注定与IGBT模块FF450R45T3E4_B5结合使用 • 高直流稳定性\n• 低电感设计\n• 封装隔离 10.4 kV AC 1min\n• AlSiC 底板搭配 AlN 基板\n• 防火防烟 EN45545 R22, R23 : HL3\n• 双二极管;

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IGBT

SANREX/三社

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SOP15

ON

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模块

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