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DD1200S45KL3_B5	文件：372.26 Kbytes Page：11 Pages	Highly insulated module Features • Electrical features - VCES = 4500 V - IC nom = 1200 A / ICRM = 2400 A - High surge current capability - High dynamic robustness - High DC stability • Mechanical features - AlSiC base plate for increased thermal cycling capability - High creepage and clearance distances - Packa 文件：372.26 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
DD1200S45KL3_B5	文件：300 bytes Page：1 Pages	4500 V、1200 A 二极管 IGBT 模块 IHV 4500 V , 1200 A 130 mm 二极管模块，带 EC3 - 二极管，预定与 IGBT 产品结合使用（例如FZ1200R45KL3_B5 或 FZ800R45KL3_B5）。 • 高直流稳定性\n• 扩展存储温度\n• CTI > 600 的封装\n• 高爬电距离和电气间隙\n• 可提高热循环\n• 双二极管;	Infineon 英飞凌	Infineon
DD1200S45KL3-B5	文件：415.26 Kbytes Page：7 Pages	hochisolierendes Modul 文件：415.26 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
DD300KB160	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	SANREX 三社上传：深圳市赛尔通科技有限公司	SANREX
DD60HB-120	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT	SANREX/三社上传：深圳市创盛芯科技有限公司	SANREX/三社

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更多DD1200S45KL3_B5供应商更新时间2025-12-10 17:00:00