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IRFD9210PBF	文件：1.75197 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerHEXFETdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •D	IRF International Rectifier	IRF
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IRFE9210	文件：134.97 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET®TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRF International Rectifier	IRF
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IRFF9210	文件：130.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtr	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9210	文件：16.67 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
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IRFR9210	文件：172.29 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-1.9A) DESCRIPTION TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD-	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9210	文件：1.5825 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAK	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9210	文件：4.45842 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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