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2SD1766	文件：480.3 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DBP；Package：SOT-89；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Low saturation voltage:VCE(sat)=0.5V(Typ.) PC=0.5W(Mounted on ceramic substrate) Small flat package. Complementary pair with 2SB1188. APPLICATIONS Power amplifier application. 文件：480.3 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
X5043M8Z-2.7	文件：844.78 Kbytes Page：21 Pages	丝印：DBP；Package：8LdMSOP；4K, 512 x 8 Bit CPU Supervisor with 4K SPI EEPROM 文件：844.78 Kbytes 页数：21 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IRLML5103TR	文件：428.71 Kbytes Page：6 Pages	丝印：DBPT6；Package：SOT-23；Generation VTechnology Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件：428.71 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRLML5103TR	文件：388.16 Kbytes Page：6 Pages	丝印：DBPT6；Package：SOT-23；MOSFET Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件：388.16 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
DBP0738	文件：27.7 Kbytes Page：1 Pages	GaAs Bi-Phase Modulator 文件：27.7 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DBP-M954-01-1002-B	文件：171.26 Kbytes Page：3 Pages	TaNFilm Precision Molded DIP Resistor Network 文件：171.26 Kbytes 页数：3 Pages	IRCTT	IRCTT
DBP-M954-01-1002-C	文件：171.26 Kbytes Page：3 Pages	TaNFilm Precision Molded DIP Resistor Network 文件：171.26 Kbytes 页数：3 Pages	IRCTT	IRCTT
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晶体管资料

型号：
2SD1766
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2873,2SC3443,2SD1119,2SD1614,2SD1623,2SD1766,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
0

详细参数

型号：
DBP
功能描述：
两极晶体管 - BJT DVR NPN 32V 2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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