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IRLML5103TR	文件：428.71 Kbytes Page：6 Pages	丝印：DBPT6；Package：SOT-23；Generation VTechnology Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件：428.71 Kbytes 页数：6 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRLML5103TR	文件：388.16 Kbytes Page：6 Pages	丝印：DBPT6；Package：SOT-23；MOSFET Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件：388.16 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI

详细参数

型号：
DBPT6
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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