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IRF614	文件：282.55 Kbytes Page：9 Pages	EaseofParalleling DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF614	文件：158.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF614	文件：296.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF614A	文件：200.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor •DESCRITION •Designedforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulse. •FEATURES •LowRDS(on) •VGSRatedat±30V •SiliconGateforFastSwitchingSpeed •Rugged •LowDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF614B	文件：855.44 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF614PBF	文件：924.75 Kbytes Page：7 Pages	hexfetpowermosfet HEXFETPowerMOSFET •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •SurfaceMount •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF614S	文件：176.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF614S	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF614SPBF	文件：1.72373 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET HEXFETPowerMOSFET •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF614SPBF	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
DB-614
制造商：
Amphenol Aerospace
功能描述：
GRIP ASSY
制造商：
Amphenol Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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