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IIRF9540N	文件：334.83 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9540	文件：424.12 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS Description TheIRF9540,IRF9541,IRF9542,IRF9543,RF1S9540,andRF1S9540SMareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttran	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF9540	文件：1.68672 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9540	文件：59.77 Kbytes Page：7 Pages	19A,100V,0.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9540	文件：125.1 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.117ohm,Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9540	文件：381.33 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablility	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9540	文件：4.20729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9540	文件：159.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9540	文件：280.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9540	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF9540	文件：685.64 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES ·DrainCurrent–ID=-19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
IRF9540	文件：1.19389 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFET Description： ThisP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications Features： 1)VDS=-100V,ID=-20A,RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF9540N	文件：334.83 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9540N	文件：738.06 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. ●AdvancedProcessTe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9540N	文件：125.1 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.117ohm,Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540NL	文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.117ohm,Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540NL	文件：1.22225 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9540NL	文件：273.02 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9540NLPBF	文件：331.4 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-100V,RDS(on)=117m廓,ID=-23A) Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多D9540供应商更新时间2024-9-26 16:42:00

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