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D5NM60	文件：558.91 Kbytes Page：18 Pages	型号：STD5NM60-1；Package：IPAK；N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH™ horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
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D5NM60

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Page：18 Pages

型号：STD5NM60-1；Package：IPAK；N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK

Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH™ horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

D5NM60

文件：558.91 Kbytes

Page：18 Pages

型号：STD5NM60T4；Package：DPAK；N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

型号：
D5NM60
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多D5NM60供应商更新时间2025-8-4 9:24:00

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