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AOD403	文件：153.83 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D403；Package：TO252；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Standard Product AOD403 is Pb-free (meets 文件：153.83 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD403	文件：515.22 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D403；Package：TO-252；-30V P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -30V RDS(ON) 文件：515.22 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AOD403	文件：418.01 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D403；Package：TO-252；-30V P-Channel MOSFET General Description The AOD403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the TO-252 package, this device is well suited for high current load applications. Features VDS (V) = -30V RDS(ON) 文件：418.01 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AOD403	文件：414.58 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D403；Package：TO252；30V P-Channel MOSFET 文件：414.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD403	文件：2.67933 Mbytes Page：6 Pages	丝印：D403；Package：TO252；30V P-Channel MOSFET 文件：2.67933 Mbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
D403	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel MOSFET	Desemicore 德芯微电子	Desemicore

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
25
10V：
8
ID @ 25°C (A)：
-70
PD @ 25°C (W)：
90
Qg (10V)(nC)：
51
VGS(th) max (V)：
-3.50
Ciss (pF)：
2890
Coss (pF)：
585
Crss (pF)：
470
Qgd (nC)：
16
tD(on) (ns)：
16
tD(off) (ns)：
45
Trr (ns)：
18
Qrr (nC)：
11
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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更多D403供应商更新时间2025-10-4 10:01:00

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