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D30NF06L	文件：461.99 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STripFET??POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD30NF06	文件：1.18926 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheSTD30NF06usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
STD30NF06	文件：457.64 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL60V-0.020ohm-28AIPAK/DPAKSTripFET??IIPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD30NF06	文件：1.12765 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheSTD30NF06usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnolo	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
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STD30NF06L	文件：1.18926 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheSTD30NF06usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
STD30NF06L	文件：461.99 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL60V-0.022ohm-35ADPAK/IPAKSTripFET??POWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD30NF06LAG	文件：721.03 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-gradeN-channel60V,0.022Ωtyp.,35ASTripFET™IIPowerMOSFETinaDPAKpackage Features AEC-Q101qualified Lowthresholddrive Gatechargeminimized Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwith STMicroelectronicsuniqueSTripFET™process isspecificallydesignedtominimizeinput capacitanceandgatecharge.Itisthereforeideal asaprimaryswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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