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STD25NF10	文件：437.02 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL100V-0.033ohm-25ADPAKLOWGATECHARGESTripFET??POWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputerapp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10L	文件：451.74 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL100V-0.030ohm-25ADPAKLOWGATECHARGESTripFET??IIPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomand	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10LA	文件：656.37 Kbytes Page：15 Pages	N-channel100V,0.030廓,25ADPAKSTripFET??IIPowerMOSFET Description ThisPowerMOSFEThasbeendevelopedusingSTMicroelectronics’uniqueSTripFETprocess,whichisspecificallydesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Thisrendersthedevicesuitableforuseasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10LA	文件：984.89 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD25NF10LA	文件：329.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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