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APA2030	文件：483.33 Kbytes Page：30 Pages	Stereo2.6WAudioAmplifier(WithGainControl)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APA2030QBI-TRG	文件：483.33 Kbytes Page：30 Pages	Stereo2.6WAudioAmplifier(WithGainControl)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APA2030RI-TR	文件：746.06 Kbytes Page：27 Pages	Stereo2.6WAudioAmplifier(WithGainControl)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APA2030RI-TRG	文件：483.33 Kbytes Page：30 Pages	Stereo2.6WAudioAmplifier(WithGainControl)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APA2030RI-TRL	文件：746.06 Kbytes Page：27 Pages	Stereo2.6WAudioAmplifier(WithGainControl)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APA2030RI-TU	文件：746.06 Kbytes Page：27 Pages	Stereo2.6WAudioAmplifier(WithGainControl)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APA2030RI-TUL	文件：746.06 Kbytes Page：27 Pages	Stereo2.6WAudioAmplifier(WithGainControl)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APA2030RI-TY	文件：746.06 Kbytes Page：27 Pages	Stereo2.6WAudioAmplifier(WithGainControl)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APA2030RI-TYL	文件：746.06 Kbytes Page：27 Pages	Stereo2.6WAudioAmplifier(WithGainControl)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APL2030	文件：139.99 Kbytes Page：1 Pages	PLLModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
APM2030	文件：140.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-252Package	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030N	文件：140.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-252Package	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030ND	文件：128.949 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NDC-TR	文件：128.949 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NDC-TRL	文件：128.949 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NDC-TU	文件：128.949 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NDC-TUL	文件：128.949 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NU	文件：140.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-252Package	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NUC-TR	文件：140.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-252Package	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NV	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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详细参数

型号：
D2030UK
制造商：
SEME-LAB
制造商全称：
Seme LAB
功能描述：
METAL GATE RF SILICON FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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