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APM2030NU	文件：140.03 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •20V/6A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-252Package	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2030NUC-TR	文件：140.03 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •20V/6A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-252Package	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2030NV	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2030NVC-TR	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2030NVC-TRL	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2030NVC-TU	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2030NVC-TUL	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
AV2030	文件：195.29 Kbytes Page：13 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheAVICAV2030isamonolithicaudiopoweramplifierintegratedcircuit. FEATURES Verylowexternalcomponentrequired. Highcurrentoutputandhighoperatingvoltage. Lowharmonicandcrossoverdistortion. Built-inOvertemperatureprotection. *Shortc	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
AXS2030	文件：1.4548 Mbytes Page：9 Pages	5.2WSingleChannelClassAB/DAudioPowerAmplifier Features AB/Dswitchingfunction ClassDoutputpower: -5.2W(VDD=5.0V,RL=2Ω,THD+N=10%) ClassABoutputpower: -5.2W(VDD=5.0V,RL=2Ω,THD+N=10%) Operatingvoltage:2.5Vto5.5V Lowdistortionandlownoise Power-onPOPsoundsuppressionfunction Shutdowncurrent	CHIPSOURCETEKShenZhen ChipSourceTek Technology Co.,Ltd. 矽源特科技深圳市矽源特科技有限公司	CHIPSOURCETEK
BF2030	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
APM2030NU
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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