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丝印：D10NF10；Package：TO-252-3L；N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Features @ Ros = 100m @VGS=10V ® Super high density cell design for extremely low RDS(ON) ® Exceptional on-resistance and maximum DC current 文件：2.69134 Mbytes 页数：5 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC | ||
D10NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET??II POWER MOSFET 文件：458.84 Kbytes 页数：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
TO-252 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO252D-PAK |
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VBSEMI/微碧半导体 |
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TO252 |
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更新时间2026-10-27 14:02:00
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