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Marking：D085N03M；Package：PDFN3333-8L；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheTFD085N03Musesadvancedtrenchtechnologytoprovi deexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature VDS=30V,ID=25A RDS( | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 | TUOFENG |
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