首页 >D06G65C5>规格书列表
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650VSiCthinQ!??Generation5diodes Features ■V₂at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (₁175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ☐10yearsmanufacturingof | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SiliconCarbideDiode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
650VSiCthinQ!??Generation5diodes Features ■V₂at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (₁175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ☐10yearsmanufacturingof | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
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650VSiCthinQ!??Generation5diodes Features ■V₂at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (₁175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ☐10yearsmanufacturingof | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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