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FCX718	文件：52.1 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●6Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto6Amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.16mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance.RCE(sat)96mΩat2.5A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FCX718	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features •BVCEO=-20V •IC=-2.5AContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX718	文件：50.24 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 6APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsupto6Amps ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.16mvTyp. *ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)96mΩat2.5A	ZetexZetex Semiconductors 捷特科半导体	Zetex
FCX718TA	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features •BVCEO=-20V •IC=-2.5AContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	ZetexZetex Semiconductors 捷特科半导体	Zetex
FMMT718	文件：37.84 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●625mWpowerdissipation. ●ICCONT2.5A. ●ICupto10Apeakpulsecurrent. ●Excellenthfecharacteristicsupto10A(pulsed). ●Extremelylowsaturationvoltagee.g.10mVtyp.. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT718	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-12V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. •RCE(sat)=72mΩat2.5Aforalowequivalenton-resistance •625mWpowerdissipation •hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：450.95 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ExtremelyLowSaturationVoltage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:718	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FMMT718	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：1.13809 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor Features ●ForSwitchingandAmplifierApplications. ●ExtremelyLowSaturationVoltage ●ComplementarytoNPNType:FMMT618	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT718TA	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718TC	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMTL718	文件：37.24 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=210mÙat1.5A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMTL718	文件：63.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=210mΩat1.5A	ZetexZetex Semiconductors 捷特科半导体	Zetex
FMMTL718	文件：75.04 Kbytes Page：3 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>-20V •IC=-1AContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMTL718TA	文件：235.57 Kbytes Page：5 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONTRANSISTORINSOT23	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FTD718	文件：367.26 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLEDIFFUSEDNPNTRANSISTOR FEATURES ●Recommendedfor45~50WAudioFrequency AmplifierOutputStage. APPLICATIONS ●HighPowerAmplifier	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G718	文件：81.81 Kbytes Page：1 Pages	DualRemoteResistor-ProgrammableTemperatureSwitches	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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