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HPN2222A	文件：42.83 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHPN2222Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhighspeed,medium-powerswitchingapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighSpeedSwitching •ForComplementaryUsewithPNPTypeHPN2907A AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemp	HSMC 华昕	HSMC
IPP-2222	文件：69.95 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINECOUP	IPPInnovative Power Products, Inc. 创新电力创新电力产品股份有限公司	IPP
K2222	文件：65.55 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
KMBT2222A	文件：838.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KMBT2222A	文件：237.41 Kbytes Page：3 Pages	NPNSwitchingTransistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KMBT2222AT	文件：887.12 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT2907AT	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KN2222	文件：44.8 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN2222	文件：225.53 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=10nA(Max.);VCE=60V,VEB(OFF)=3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.);IC=150mA,IB=15mA. •ComplementarytotheKN2907/2907A.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN2222	文件：28.52 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN2222A	文件：225.53 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=10nA(Max.);VCE=60V,VEB(OFF)=3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.);IC=150mA,IB=15mA. •ComplementarytotheKN2907/2907A.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KN2222AS	文件：498.32 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=10nA(Max.);VCE=60V,VEB(OFF)=3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.);IC=150mA,IB=15mA. •ComplementarytotheKN2907S/2907AS.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN2222AS	文件：268.97 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=10nA(Max.);VCE=60V,VEB(OFF)=3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.);IC=150mA,IB=15mA. •ComplementarytotheKN2907S/2907AS.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN2222S	文件：268.97 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=10nA(Max.);VCE=60V,VEB(OFF)=3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.);IC=150mA,IB=15mA. •ComplementarytotheKN2907S/2907AS.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN2222SAS	文件：498.32 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=10nA(Max.);VCE=60V,VEB(OFF)=3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.);IC=150mA,IB=15mA. •ComplementarytotheKN2907S/2907AS.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSP2222	文件：37.79 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=30V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2222A	文件：24.86 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •CollectorPowerDissipation:PC(max)=625mW •AvailableasPN2222A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2222A	文件：110.03 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2222A	文件：110.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •CollectorPowerDissipation:PC(max)=625mW •AvailableasPN2222A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2222A	文件：110.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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