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D45H11	文件：49.36 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheD45H5,D45H8andD45H11aresiliconMulti-EpitaxialPlanarPNPtransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage. Theyareintededforvariousswitchingandgeneralpurposeapplications. D45H8,D45H11arecomplementarywithD44H8,D44H11. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALEST	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
D45H11	文件：157.08 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W) 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS30-80VOLTS50WATTS	MOSPEC MOSPEC
D45H11	文件：103.1 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ComplementarySiliconPowerTransistors Theseseriesofplastic,siliconNPNandPNPpowertransistorscanbeusedasgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
D45H11	文件：163 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS30-80VOLTS50WATTS D44H,D44H1,D44H10,D44H11,D44H2,D44H4,D44H5,D44H7,D44H8-->NPN D45H,D45H1,D45H10,D45H11,D45H2,D45H4,D45H5,D45H7,D45H8-->PNP	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司
D45H11	文件：68.07 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
D45H11	文件：91.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
D45H11	文件：188.4 Kbytes Page：8 Pages	Complementary power transistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
D45H11	文件：87.33 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
D45H11	文件：152.08 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
D45H11	文件：189.31 Kbytes Page：4 Pages	10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60,80 VOLTS	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
D45H11	文件：78.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
D45H11	文件：190.72 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
D45H11	文件：93.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
D45H11	文件：251.02 Kbytes Page：6 Pages	PNP Power Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
D45H11	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 10A TO220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
D45H11	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 10A TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
D45H11E3	文件：309.75 Kbytes Page：5 Pages	Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor Features •LowVCE(sat) •HighBVCEO •Excellentcurrentgaincharacteristics •Pb-freeleadplatingpackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司
D45H11FP	文件：274.51 Kbytes Page：6 Pages	Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor Features •LowVCE(sat) •HighBVCEO •Excellentcurrentgaincharacteristics •Pb-freeleadplatingpackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司
D45H11FP	文件：191.06 Kbytes Page：9 Pages	Complementary power transistors Description TheselowvoltagetransistorsarehousedinfullyisolatedTO-220FPpackagesandformacomplementarypair.Theyaremanufacturedinmultiepitaxialplanartechnologyforgeneralpurposeinlinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Fas	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
D45H11J3	文件：189.03 Kbytes Page：5 Pages	Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor Features •LowVCE(sat) •HighBVCEO •Excellentcurrentgaincharacteristics •Pb-freepackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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晶体管资料

型号：
D45H11
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
ECG378,NTE378,SK9113,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
999900
atest：
10
wtest：
50

产品属性

产品编号：
D45H11
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
40MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 80V 10A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多D45H11供应商更新时间2024-4-27 8:30:00

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