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CY7C1318BV18	文件：257.709 Kbytes Page：24 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture Features •18-Mbitdensity(2Mx8,2Mx9,1Mx18,512Kx36) •300-MHzclockforhighbandwidth •2-Wordburstforreducingaddressbusfrequency •DoubleDataRate(DDR)interfaces (datatransferredat600MHz)@300MHz •Twoinputclocks(KandK)forpreciseDDRtiming —SRAMu	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1318BV18-167BZC	文件：257.709 Kbytes Page：24 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture Features •18-Mbitdensity(2Mx8,2Mx9,1Mx18,512Kx36) •300-MHzclockforhighbandwidth •2-Wordburstforreducingaddressbusfrequency •DoubleDataRate(DDR)interfaces (datatransferredat600MHz)@300MHz •Twoinputclocks(KandK)forpreciseDDRtiming —SRAMu	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318BV18-200BZC	文件：257.709 Kbytes Page：24 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture Features •18-Mbitdensity(2Mx8,2Mx9,1Mx18,512Kx36) •300-MHzclockforhighbandwidth •2-Wordburstforreducingaddressbusfrequency •DoubleDataRate(DDR)interfaces (datatransferredat600MHz)@300MHz •Twoinputclocks(KandK)forpreciseDDRtiming —SRAMu	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318BV18-250BZC	文件：257.709 Kbytes Page：24 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture Features •18-Mbitdensity(2Mx8,2Mx9,1Mx18,512Kx36) •300-MHzclockforhighbandwidth •2-Wordburstforreducingaddressbusfrequency •DoubleDataRate(DDR)interfaces (datatransferredat600MHz)@300MHz •Twoinputclocks(KandK)forpreciseDDRtiming —SRAMu	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318BV18_11	文件：1.71052 Mbytes Page：31 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318BV18-167BZC	文件：515.89 Kbytes Page：28 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318BV18-167BZI	文件：515.89 Kbytes Page：28 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318BV18-167BZXC	文件：515.89 Kbytes Page：28 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

详细参数

型号：
CY7C1318BV18
功能描述：
静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V COM DDR II 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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