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CY7C1312BV18-200BZXC集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CY7C1312BV18-200BZXC |
| 参数属性 | CY7C1312BV18-200BZXC 封装/外壳为165-LBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| 功能描述 | 18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture |
| 封装外壳 | 165-LBGA |
| 文件大小 |
1.0734 Mbytes |
| 页面数量 |
28 页 |
| 生产厂商 | Cypress Cypress Semiconductor |
| 中文名称 | 赛普拉斯 赛普拉斯半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-3 11:12:00 |
| 人工找货 | CY7C1312BV18-200BZXC价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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CY7C1312BV18-200BZXC属于集成电路（IC）的存储器。由赛普拉斯半导体公司制造生产的CY7C1312BV18-200BZXC存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号：
CY7C1312BV18-200BZXC
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，QDR II
- 存储容量：
18Mb（1M x 18）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
165-LBGA
- 供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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