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CY15B104Q-LHXI	文件：847.02 Kbytes Page：22 Pages	4-Mbit(512K횞8)Serial(SPI)F-RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY15B104QN	文件：596.67 Kbytes Page：42 Pages	4-MbEXCELON™LPFerroelectricRAM(F-RAM)Serial(SPI),512K×8,industrial Features •4-Mbferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof1000trillion(1015)read/writecycles -151-yeardataretention(See“Dataretentionandendurance”onpage27) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Adv	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY15B104QSN	文件：1.09476 Mbytes Page：118 Pages	4MbEXCELON??UltraFerroelectricRAM(F-RAM) Features •4-Mbitferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof100trillion(1014)read/writecycles -151-yeardataretention(seeDataretentionandenduranceonpage98) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Adva	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY15B104QSN	文件：1.51596 Mbytes Page：90 Pages	Excelon??Ultra4-Mbit(512K횞8)QuadSPIF-RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY15B104QSN	文件：1.09351 Mbytes Page：122 Pages	4MbEXCELON™UltraFerroelectricRAM(F-RAM)Serial(quadSPI),512K×8,108MHz,industrial Features •4-Mbitferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof100trillion(1014)read/writecycles -151-yeardataretention(see“Dataretentionandendurance”onpage101) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -A	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY15B104Q-SXI	文件：847.02 Kbytes Page：22 Pages	4-Mbit(512K횞8)Serial(SPI)F-RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY15B104Q-SXIT	文件：847.02 Kbytes Page：22 Pages	4-Mbit(512K횞8)Serial(SPI)F-RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

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