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CY14V101LA-BA25XI	文件：921.87 Kbytes Page：22 Pages	1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY14V101LA-BA45XI	文件：921.87 Kbytes Page：22 Pages	1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY14V101LA-BA25XIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
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CY14V101LA	文件：921.87 Kbytes Page：22 Pages	1-Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAMInfiniteread,write,andrecallcycles	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14V101NA	文件：921.87 Kbytes Page：22 Pages	1-Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAMInfiniteread,write,andrecallcycles	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14V101PS	文件：1.51679 Mbytes Page：67 Pages	1-Mbit(128K횞8)QuadSPInvSRAMwithRealTimeClock	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14V101QS	文件：1.26659 Mbytes Page：55 Pages	1-Mbit(128K횞8)QuadSPInvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
TNR14V101K	文件：574.74 Kbytes Page：16 Pages	METALOXIDEVARISTORSTNRTM ◆FEATURES ●Largesurgecapability(thesurgecurrentratingsofTNRVseries,by8/20μs,areabouttwo timeslargerthanTNRGseries). ●Largeenergycapability(1.5timelargerthanTNRGseries). ●OneranksmallerTNRVhassamepeakcurrentasTNRG. ●Excellentvoltagenon-linearcoeffici	CHEMI-CON United Chemi-Con, Inc.	CHEMI-CON

产品属性

产品编号：
CY14V101LA-BA25XIT
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-FBGA（6x10）
描述：
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA

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更多CY14V101LA-BA供应商更新时间2024-6-22 16:12:00

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