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CY14B104NA-BA20XI数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
| 厂商型号 |
CY14B104NA-BA20XI |
| 参数属性 | CY14B104NA-BA20XI 封装/外壳为48-TFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
| 功能描述 | nvSRAM (non-volatile SRAM) |
| 封装外壳 | 48-TFBGA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-10 15:01:00 |
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技术参数
- 制造商编号
：CY14B104NA-BA20XI
- 生产厂家
：Infineon
- 密度 (Kb)
：4096
- 频率 (MHz)
：无
- 接口
：Parallel
- 最高工作温度 (°C)
：85
- Max. Operating VCCQ (V)
：3.60
- 最高工作电压 (V)
：3.60
- 最低工作温度 (°C)
：-40
- Min. Operating VCCQ (V)
：2.70
- 最低工作电压 (V)
：2.70
- 组织 (X x Y)
：256Kb x 16
- Part Family
：并行 nvSRAM
- 速率 (ns)
：20
- Tape & Reel
：否
- 温度分类
：工业
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2022+原装正品 |
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