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CY14B104L-BA20XI中文资料IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY14B104L-BA20XI

参数属性

CY14B104L-BA20XI 封装/外壳为48-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

功能描述

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

封装外壳

48-TFBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :CY14B104L-BA20XI

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 存储器格式

    :NVSRAM

  • 技术

    :NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量

    :4Mb (512K x 8)

  • 写周期时间 - 字,页

    :20ns

  • 访问时间

    :20ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度

    :-40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :48-TFBGA

  • 供应商器件封装

    :48-FBGA(6x10)

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