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CY14B104L-ZS25XI数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

CY14B104L-ZS25XI

参数属性

CY14B104L-ZS25XI 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II

功能描述

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :CY14B104L-ZS25XI

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 存储器格式

    :NVSRAM

  • 技术

    :NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量

    :4Mb (512K x 8)

  • 写周期时间 - 字,页

    :25ns

  • 访问时间

    :25ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度

    :-40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :44-TSOP(0.400\,10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装

    :44-TSOP II

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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