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FDB8447L	文件：384.33 Kbytes Page：6 Pages	40VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8447L	文件：328.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8447L	文件：330.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8447L	文件：2.12333 Mbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=80A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD8447L	文件：2.46085 Mbytes Page：5 Pages	40VN-ChannelMOSFET Features Vds=60V,ID=53A Rosion=12ma@Ves=10v *Rosion=17m0@Ves=4.5V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDD8447L	文件：519.46 Kbytes Page：6 Pages	FastSwitching GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeenproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryPowerTrench®technologytodeliverlowrDS(on)andoptimizedBVDSScapabilitytooffersuperiorperformancebenefitintheapplication. Features ■MaxrDS(on)=8.5mΩatVGS=10V,ID=14A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8447L	文件：328.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP8447L	文件：188.31 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET40V,50A,8.7m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8447L	文件：970.78 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel4-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDS8447	文件：409.36 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThissingleN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features ■MaxrDS(on)=10.5mΩatVGS=10V,ID=12	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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