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CWS65R190BDR数据手册WHXY中文资料规格书

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厂商型号

CWS65R190BDR

功能描述

N沟道基于超级结技术的功率MOSFET

制造商

WHXY Wuhan Xinyuan Semiconductor Co., Ltd.

中文名称

芯源半导体 武汉芯源半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 15:08:00

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CWS65R190BDR规格书详情

特性 Features

漏源电压BV DSS (V)(Min.):650导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):177导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):190最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-252-2L/-55~125描述:650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :CWS65R190BDR

  • 生产厂家

    :WHXY

  • 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)

    :177

  • 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)

    :190

  • 最大漏极电流Id(on)(A)

    :20

  • 通道极性

    :N沟道

  • 封装

    :TO-252-2L

  • 工作温度(℃)

    :-55-125

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