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CWS11N65AF数据手册WHXY中文资料规格书

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厂商型号

CWS11N65AF

功能描述

N沟道基于超级结技术的功率MOSFET

制造商

WHXY Wuhan Xinyuan Semiconductor Co., Ltd.

中文名称

芯源半导体 武汉芯源半导体有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:30:00

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CWS11N65AF规格书详情

特性 Features

漏源电压BV DSS (V)(Min.):650导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):300导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):360最大漏极电流Id(on)(A):11通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220F-3L/-55~125描述:650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :CWS11N65AF

  • 生产厂家

    :WHXY

  • 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)

    :300

  • 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)

    :360

  • 最大漏极电流Id(on)(A)

    :11

  • 通道极性

    :N沟道

  • 封装

    :TO-220F-3L

  • 工作温度(℃)

    :-55-125

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