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CWS11N65AX中文资料N沟道基于超级结技术的功率MOSFET数据手册WHXY规格书
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特性 Features
漏源电压BV DSS (V)(Min.)：650导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：300导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：360最大漏极电流Id(on)(A)：11通道极性：N沟道封装/温度(℃)：TO-263-2L/-55~125描述：650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：CWS11N65AX
- 生产厂家
：WHXY
- 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)
：300
- 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)
：360
- 最大漏极电流Id(on)(A)
：11
- 通道极性
：N沟道
- 封装
：TO-263-2L
- 工作温度（℃）
：-55-125
