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GVT71256C36TA-6.7	文件：307.76 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36/512Kx18PipelinedSRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,lowpowerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohighvaluedresistors. Features •Fastaccesstimes:2.5ns	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

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GVT71256C36TA-6.7

文件：307.76 Kbytes

Page：27 Pages

256Kx36/512Kx18PipelinedSRAM

FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,lowpowerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohighvaluedresistors. Features •Fastaccesstimes:2.5ns

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

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更多CVT71256C36TA-6.7供应商更新时间2025-5-24 11:00:00

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