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PowerAmplifierModuleforJCDMA Description TheCXG1108Kisthepoweramplifiermodulewhichoperatesatasinglepowersupply.ThisICisdesignedusingtheSony’soriginalp-GateHFETprocess. Features •Singlepowersupplyoperation: VDD1=VDD2=3.5V, VGG=2.95V(@Highmode), VGG=2.7V(@Lowmode) •Ultras | SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼 | Sony | ||
LeadedPowerChokesDMI | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | etc2 | ||
1GbitsDDR2SDRAMorganizedas33,554,432wordsx8banks. Description TheEDE1104AASEisa1GbitsDDR2SDRAMorganizedas33,554,432words×4bits×8banks. TheEDE1108AASEisa1GbitsDDR2SDRAMorganizedas16,777,216words×8bits×8banks.Theyarepackagedin68-ballFBGA(µBGA)package. Features •Powersupply:VDD,VDDQ=1.8V | ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司 | ELPIDA | ||
1GbitsDDR2SDRAM | ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司 | ELPIDA | ||
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