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INA823DGKR	文件：3.91482 Mbytes Page：40 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA823DGKT	文件：3.91482 Mbytes Page：40 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA823DR	文件：3.91482 Mbytes Page：40 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA823DT	文件：3.91482 Mbytes Page：40 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IPM-C823	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IPM-L823	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IQXO-823	文件：1.221 Mbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRF823	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF823	文件：322.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowerRDS(ON) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowerinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF823	文件：140.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELEnhancement-ModeSiliconGateTMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs2and2.5AMPERESrDS(on)=3OHM450and500VOLTS rDS(on)=4OHM450VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
CTM823VBJ
制造商：
COM
功能描述：
AF382X100 ROUND MIL SPEC FILM

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更多CTM823VBJ供应商更新时间2025-7-28 10:20:00

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