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FIN1102	文件：320.48 Kbytes Page：5 Pages	LVDS2PortHighSpeedRepeater GeneralDescription This2portrepeaterisdesignedforhighspeedinterconnectsutilizingLowVoltageDifferentialSignaling(LVDS)technology.TheFIN1102acceptsandoutputsLVDSlevelswithatypicaldifferentialoutputswingof330mVwhichprovideslowEMIatultralowpowerdissipationev	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FIN1102MTC	文件：320.48 Kbytes Page：5 Pages	LVDS2PortHighSpeedRepeater GeneralDescription This2portrepeaterisdesignedforhighspeedinterconnectsutilizingLowVoltageDifferentialSignaling(LVDS)technology.TheFIN1102acceptsandoutputsLVDSlevelswithatypicaldifferentialoutputswingof330mVwhichprovideslowEMIatultralowpowerdissipationev	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJH1102	文件：121.58 Kbytes Page：5 Pages	UltraLowLeakageDiode GeneralDescription: AnUltraLowLeakageDiodeintheDO-35package.Theforwardvoltageistypicallygreaterthan0.5voltsat1.0micro-ampere. Thisproductislightsensitive,anydamagetothebodycoatingwillaffectthereverseleakagewhenexposedtolight.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FS1102	文件：100.86 Kbytes Page：7 Pages	SingleHallEffectLatch	FEELINGFeeling Technology Corp. 远翔科技远翔科技股份有限公司	FEELING
FX1102	文件：1.0761 Mbytes Page：4 Pages	HighStabilityShortArcXenonFlashlamps	PerkinElmer PerkinElmer Optoelectronics	PerkinElmer
GDS-1102	文件：2.66069 Mbytes Page：2 Pages	EducationalMarket-GeneralPurposeInstruction	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固纬电子固纬电子实业股份有限公司	GWINSTEK
GDS-1102B	文件：2.66069 Mbytes Page：2 Pages	EducationalMarket-GeneralPurposeInstruction	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固纬电子固纬电子实业股份有限公司	GWINSTEK
GI1102	文件：52.99 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDFASTEFFICIENTRECTIFIER FEATURES ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦Glasspassivatedcavity-freejunction ♦Superfastrecoverytimeforhighefficiency ♦Lowforwardvoltage,highcurrentcapability ♦CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 ♦Hermeticallysealedpackage ♦Lo	GE GE Industrial Company	GE
GI1102	文件：431.04 Kbytes Page：1 Pages	GLASSPASSIVATEDFASTEFFICIENTRECTIFIER FEATURES ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦Glasspassivatedcavity-freejunction ♦Superfastrecoverytimeforhighefficiency ♦Lowforwardvoltage,highcurrentcapability ♦CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 ♦Hermeticallysealedpackage ♦Lo	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
H1102	文件：678.29 Kbytes Page：54 Pages	10Base-T/100Base-TXPhysicalLayerTransceiver GeneralDescription TheKSZ8041NLisasinglesupply10Base-T/100Base-TXPhysicalLayerTransceiver,whichprovidesMII/RMIIinterfacestotransmitandreceivedata.Auniquemixedsignaldesignextendssignalingdistancewhilereducingpowerconsumption. HPAutoMDI/MDI-Xprovidesthemost	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel

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