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FZT857

SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT

Features •BVCEO>300V •IC=3.5AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FZT857

NPNSiliconPlanarHighCurrentTransistor

Features ●Upto3.5Ampscontinuouscollectorcurrent,upto5Amppeak ●VCEO=300V ●Verylowsaturationvoltage ●ExcellenthFEspecifiedupto3Amps

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

FZT857

300VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FZT857QTA

300VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FZT857QTA

300VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223

Features •BVCEO>300V •IC=3.5AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FZT857TA

300VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FZT857TA

300VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223

Features •BVCEO>300V •IC=3.5AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

GBC857

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GBC857

TheGBC857isdesignedforswitchingandAFamplifierapplication,suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits

ETLE-Tech Electronics LTD

亚历电子亚历电子有限公司

GSBC857

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    CSPT857CPAG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 应用特定时钟/定时

  • 包装:

    卷带(TR)

  • PLL:

  • 主要用途:

    存储器,DDR,SDRAM

  • 输入:

    时钟

  • 输出:

    时钟

  • 比率 - 输入:

    1:10

  • 差分 - 输入:

    是/是

  • 频率 - 最大值:

    220MHz

  • 电压 - 供电:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFSOP(0.240",6.10mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    48-TSSOP

  • 描述:

    IC CLK BUF DDR 220MHZ 1CIRC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IDT
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TSSOP-7.2-48P
4000
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TSSOP-7.2-48P
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Integrated Device Technology (
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48-TSSOP
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原装正品,支持实单
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更多CSPT857CPA供应商 更新时间2025-7-15 16:30:00