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FZT857	文件：40.61 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrentTransistor Features ●Upto3.5Ampscontinuouscollectorcurrent,upto5Amppeak ●VCEO=300V ●Verylowsaturationvoltage ●ExcellenthFEspecifiedupto3Amps	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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FZT857TA	文件：322.84 Kbytes Page：7 Pages	300VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>300V •IC=3.5AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
GBC857	文件：212.83 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GBC857	文件：214.59 Kbytes Page：2 Pages	TheGBC857isdesignedforswitchingandAFamplifierapplication,suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
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产品属性

产品编号：
CSPT857CNLGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 应用特定时钟/定时
包装：
托盘
PLL：
是
主要用途：
存储器，DDR，SDRAM
输入：
时钟
输出：
时钟
比率 - 输入：
1：10
差分 - 输入：
是/是
频率 - 最大值：
220MHz
电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
40-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
40-VFQFPN（6x6）
描述：
IC CLK BUF DDR 220MHZ 1CIRC

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