12 V P-Channel FemtoFET MOSFET

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德州仪器

CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET

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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 150mΩ，12V P 通道 FemtoFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 已被设计且优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 此技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时替代标准的小信号 MOSFET。 • 超低导通电阻\n• 高运行漏极电流\n• 1.0mm × 0.6mm\n• 超薄 \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)\n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;

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