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CSD23203W中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

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厂商型号

CSD23203W

功能描述

CSD23203W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

23203

封装外壳

DSBGA

文件大小

972.48 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 23:00:00

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CSD23203W规格书详情

1 Features

1• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low RDS(on)

• Small Footprint

• Low Profile 0.62-mm Height

• Lead Free

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• CSP 1-mm × 1.5-mm Wafer Level Package

2 Applications

• Battery Management

• Load Switch

• Battery Protection

3 Description

This 16.2-mΩ, –8-V, P-Channel device is designed to

deliver the lowest on-resistance and gate charge in a

small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal

characteristics in an ultra-low profile.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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