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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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CSD19536KCS,100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.4mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
CSD19536KTT100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR | RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc. | RHOMBUS-IND |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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