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CSD16323Q3	文件：482.7 Kbytes Page：12 Pages	CSD16323Q3N-ChannelNexFET™PowerMOSFET 1Features 1•Optimizedfor5-VGateDrive •Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •Lead-FreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckConverterfor Applicationsin	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16323Q3	文件：1.77564 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CSD16323Q3	文件：392.94 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelNexFET??PowerMOSFETs	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CSD16323Q3.B	文件：482.7 Kbytes Page：12 Pages	CSD16323Q3N-ChannelNexFET™PowerMOSFET 1Features 1•Optimizedfor5-VGateDrive •Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •Lead-FreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckConverterfor Applicationsin	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16323Q3C	文件：387.04 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelNexFET??PowerMOSFETs	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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