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5836N	文件：1.38161 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AN5836	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AN5836	文件：198.23 Kbytes Page：3 Pages	DCVOLUMETONECONTROLIC	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
BCM5836	文件：227.22 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTFASTETHERNETAND2-PORTGBEMULTILAYERSWITCHWITHTWO10-GBE/HIGIGPORTS	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
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BCM5836P	文件：203.58 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGbEMULTILAYERSWITCHWITHFOUR10GbE/HiGigPORTS	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：111.88 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGIGABITETHERNETMULTILAYERSWITCH OVERVIEW TheBCM56500isthefifthgenerationofthehighly-integratedandcosteffectiveStrataSwitchandStrataXGSproductlineinasingle-chipsolutionwith24-GbEports.TheBCM56500incorporates24-GbEportsthatcanoperate10/100/1000Mbps. Withhigh-integrationandhigh-portdensity,the	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：217.56 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGbEMULTILAYERSWITCHWITHFOUR10GbE/HiGigPORTS	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：192.69 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGIGABITETHERNETMULTILAYERSWITCH	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：178.79 Kbytes Page：2 Pages	FOUR10-GIGABITETHERNET/HIGIGPORTS	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：160.88 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGIGABITETHERNETMULTILAYERSWITCH	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
MCH5836	文件：68.92 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithanP-channelsiliconMOSFET(MCH3307)andaschottkybarrierdiode(SS10015M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •LowON-resistance. •1.8Vdrive. •[SB	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SZ5836	文件：88.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES	SSDI SSDI	SSDI
UZ5836	文件：109.92 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Fused-in-glass,metallurgically-bonded5wattzeners. FEATURES •2TimesGreaterSurgeRatingthanConventional10WattZeners •SmallPhysicalSize	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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更多CS5836AD供应商更新时间2024-6-10 8:24:00

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